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AOS一系列功率半导体和功率集成电路的开发商和全球供应商今天宣布AOTF190A60L，在新的字母表mos5tm高压mosfet平台的第一个产品。这个装置提供高效率为服务器电源、高端计算机、充电站和其他设备优化的易于使用的解决方案的性能高性能应用。mos5tm使单位面积的导通电阻“8223rds x a”比以前降低了30%发电，降低应用中的传导损耗它还使未来的高压产品能够满足新的、更小的和更高效的封装中更高功率密度的市场趋势。
此外，与主要竞争对手相比，αMoS5TM显著改善了切换性能；AOTF190A60L提供较低的总栅电荷和更短的开关平台时间，这有助于减少开关损耗。新的产品包装在一个完整的成型TO 220F，并具有最大的RDS（ON）为19MOHM。
通过优化寄生参数行为，设计了αmos5tm以提供优越的电磁干扰性能。以下波形比较示出如何控制EMI，具有抑制的反向恢复电流（IRR）和很多。在设备关闭期间更平滑的电压上升。
“开关电源是现代IT设备的能源心脏。对更高功率转换的需求世界各地的电力供应消耗了大量的电力，从而推动了效率的提高。高性能转换拓扑结构（如llc）已成为数据内部服务器使用的大多数ac/dc转换器的标准解决方案中心和电信基础设施。MOSFET的性能对于实现由电源提供的最高效率至关重要。转换器。我们很高兴宣布发布基于我们最新的高压mosfet平台的aotf190a60l–αmos5tm。
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