
AOS万代MOS管特点:
AOT7N60和AOTF7N60是用一种先进的高压mosfet工艺旨在提供高水平的性能和在流行的交直流应用中的稳健性。
通过提供低rds(on)、cis和crs以及保证雪崩能力这些零件可以快速应用于新的和现有的离线电源设计。
AOSmos管AOT7N60产品参数:
描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准 漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7A(Tc) 功率 - 最大值:192W
安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 3.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):28nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1035pF @ 25V