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AO4612采用先进的沟道技术提供优良的rds（开）和低门电荷。这个互补mosfet可用于h桥，逆变器和其他应用。
AOS场效应管产品参数
- 数据列表 AO4612; 标准包装 3,000
- 包装 标准卷带 零件状态 有源
- 类别 分立半导体产品 FET 类型 N 和 P 沟道
- FET 功能 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） 60V
- 功率 - 最大值 2W 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型 表面贴装型供 应商器件封装 8-SOIC
- 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A，3.2A
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 56 毫欧 @ 4.5A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 540pF @ 30V
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