AOS场效应管_P_AO4421
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AO4421场效应管结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，可提供极低的RDS（ON）。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。

AO4421场效应管参数：

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6.2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：40 毫欧 @ 6.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：55nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2900pF @ 30V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-SOIC

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）