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AO4614B采用先进的沟槽技术mosfet提供出色的rds（on）和低栅极充电。可以使用互补mosfet在h桥、逆变器等应用中。
AOS场效应管产品参数：
- 功率 - 最大值 2W 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型 表面贴装型 供应商器件封装 8-SO
- 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 数据列表 AO4614B 标准包装 3,000
- 包装 标准卷带 零件状态 有源
- 类别 分立半导体产品 FET 类型 N 和 P 沟道
- FET 功能 逻辑电平门 漏源电压（Vdss） 40V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A，5A
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 10.8nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 650pF @ 20V
