AOS场效应管_P沟道AO3435
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AOS MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.9A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 70 毫欧 @ 3.5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 745pF @ 10V

功率耗散（最大值） 1W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装 SOT-23-3L

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

标准包装 3,000

包装标准卷带