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| FET 类型 N 沟道 | 技术 MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） 30V | 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V | 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 14 毫欧 @ 11.6A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 24nC @ 10V |
| Vgs（最大值） ±20V | 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 15V |
| FET 功能 - | 功率耗散（最大值） 3.1W（Ta） |
| 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 表面贴装 |
| 供应商器件封装 8-SOIC | 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| v封装： SOIC-8 | 包装： 2500PCS/包 |
| 数量： 5000 | 备注： 专业AOS品牌，大量现货优势库存 |
